Hydrogen recombination on plasma facing materials

W.M.Shu*; 林 安徳*; 奥野 健二

Journal of Applied Physics, 75(11), p.7531 - 7537, 1994/06

https://doi.org/10.1063/1.356627

プラズマ対向材料の入射側と裏側における水素の再結合係数についてのモデルを提出した。入射側においては、ノーマルな表面サイトのほか、照射によって生成した欠陥サイトも考慮して、その水素の再結合係数を導出した。また、不純物の効果については、不純物の原子(O,Cなど)が欠陥サイトへ吸着することにより、活動的な再結合サイトが減少するということで考慮した。一方、裏側においては、酸化膜が付いているため、酸化物の表面サイトが水素の再結合サイトとなるということで考慮し、その有効再結合係数を導出した。従来のモデルはノーマルな表面サイトだけを考慮したため、実験結果に一致しなかった。この新しいモデルにより、再結合律速の実験結果をうまく解釈することができるようになった。